1、 純淨的單晶半導體又稱本徵半導體，其內部載流子自由電子空穴的數量相等的。
2、 射極輸出器屬共集電極放大電路，由於其電壓放大位數約等於1，且輸出電壓與輸入電壓同相位，故又稱為電壓跟隨器(射極跟隨器)。
3、 理想差動放大器其共模電壓放大倍數為0，其共模抑制比為∞。
4、 一般情況下，在模擬電器中，晶體三極管工作在放大狀態，在數字電器中晶體三極管工作在飽和、截止狀態。
5、 限幅電路是一種波形整形電路，因它削去波形的部位不同分為上限幅、下限幅和雙向限幅電路。
6、 主從JK觸發器的功能有保持、計數、置0、置1 。
7、 多級放大器的級間耦合有阻容耦合、直接耦合、變壓器耦合。
8、 帶有放大環節串聯穩壓電路由調整電路、基準電路、取樣電路和比較放大電路分組成。
9、 時序邏輯電路的特點是輸出狀態不僅取決於當時輸入狀態，還與輸出端的原狀態有關。
10、 當PN結外加反向電壓時，空間電荷區將變寬。反向電流是由少數載流子形成的。
11、 半導體具有熱敏性、光敏性、力敏性和摻雜性等獨特的導電特性。
12、 利用二極管的單向導電性，可將交流電變成脈動的直流電。
13、 硅穩壓管正常工作在反向擊穿區。在此區內，當流過硅穩壓管的電流在較大範圍變化時，硅穩壓管兩端的電壓基本不變。
14、 電容濾波只適用於電壓較大，電流較小的情況，對半波整流電路來説，電容濾波後，負載兩端的直流電壓為變壓級次級電壓的1倍，對全波整流電路而言較為1.2倍。
15、 處於放大狀態的NPN管，三個電極上的電位的分佈必須符合UC>UB>UE，而PNP管處於放大狀態時，三個電極上的電位分佈須符合UE>UE>UC。總之，使三極管起放大作用的條件是：集電結反偏，發射結正偏。
16、 在P型半導體中，多數載流子是空穴，而N型半導體中，多數載流子是自由電子。
17、 二極管在反向截止區的反向電流基本保持不變。
18、 當環境温度升高時，二極管的反向電流將增大。
19、 晶體管放大器設置合適的靜態工作點，以保證放大信號時，三極管應始終工作在放大區。
20、 一般來説，硅晶體二極管的死區電壓大於鍺管的死區電壓。
21、 當硅晶體二極管加上0.3V正向電壓時，該晶體二極管相當於阻值很大的電阻。
22、 電子秤中使用的半導體器件是利用了半導體的力敏性。
23、 畫交流放大器的直流通路時，電容器做開路處理;畫交流通路時，電源和電容器應作短路處理。
24、 PN結正向偏置時導通，反向偏置時截止，這種特性稱為PN結的單向導電性。
25、 工作在放大狀態中三極管可視為放大器件，工作在截止飽和狀態的三極管可視為開關器件。
26、 差動放大器只對差模信號有電壓放大作用，而對共模信號無電壓放大作用。射極輸出器的特點是電壓放大倍數略小於1，且接近於
1。所以對信號源影響小，帶負載能力強。
27、 晶體三極管屬於電流控制器件，場效應管屬於電壓控制器件。
28、 三極管屬於雙極型半導體器件，場效應管屬於單極型半導體器件。
29、 理想運放的兩個重要結論是：一、是運放的兩個輸入端的電位相等。二、運放的兩個輸入端的輸入電流相等，並且等於零。
30、 一個自激振盪器只有滿足相位平衡條件和振幅平衡條件才能產生振盪。
31、 計數器可分為同步計數器和異步計數器，兩者中速度較快的是同步計數器。
32、 觸發器為時序邏輯電路基本單元，門電路為組合邏輯電路基本單元。兩種電路主要區別在前者具有記憶功能，而後者不具有。
33、 二極管兩端加上正向電壓時超過死區電壓才能導通。
34、 為調整放大器的'靜態工作點，使之上移，應該使Rb電阻值減少。
35、 一個觸發器可以存放1位二進制數。
36、 放大電路中三極管的組合方式有三種，它們是共集電極、共基極、共發射極。
37、 NPN型晶體三極管的發射區是N型半導體，集電區是N型半導體，基區是P型半導體。
38、 一般情況下，晶體三極管的電流放大係數隨温度的增加而增加，發射結的導通壓降Vbe則隨温度的增加而減小。
39、 具有記錄輸入脈衝個數的電路稱為計數器，它的主要組成部分是觸發器，是時序電路。
40、 晶體管構成的三种放大電路中，沒有電壓放大作用但有電流放大作用的是：共集電極接法(射極輸出器)。
41、 串聯型穩壓電路中的調整管工作在放大區。
42、 一個十進制計器至少需要四個觸發器構成
43、 利用電阻R和電容C可以將脈衝波變換變為三角波和尖頂波。
44、 三極管的開關特性指的是在基極輸入信號作用下，三極管具有的兩個明顯相反的狀態即飽和和截止。
45、 衡量運算放大電路抑制零漂能力的指針為：運模抑制比，對於運算放大器該參數等於∞。
46、 負反饋電路可分為電流串聯負反饋、電流並聯負反饋、電壓串聯負反饋、電壓並聯負反饋。
47、 將模擬信號轉換到數字信號的過程稱為A/D，將數字信號轉換成為模擬信號的過程稱為D/A。
48、 集成觸 發器按功能可分為RS觸發器、D觸發器、JK觸發器和T觸發器。
49、 射極輸出器是一種電壓串聯負反饋放大器。
50、 半導體材料的電阻率受外界條件(温度、光線等)的影響很大，温度升高或受光照射均可使電阻率減小。
51、 PN結是晶體二極管的基本結構，也是一般半導體器件的核心。
52、 射極輸出器沒有電壓放大能力，由於其輸出電阻小，所以有較強的帶負載能力。
53、 振盪器是一個具有選頻網絡的正反饋放大器。
